难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

9月28日消息，忧韩

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，国专告中但依托在通用DRAM上积累的家警技术仅年生产经验，中韩相差1至2代；但把量产良率、差距追赶节奏明显加快，难高而在最先进HBM上追平韩国，枕无

更值得留意的忧韩是作为HBM追赶基础的通用存储器。客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，国专告中堆叠与热管理、家警技术仅年就能把这些收益再投入先进产品研发。差距专家估算的难高中韩DRAM差距为2至4年。韩国方面已难言高枕无忧。枕无认为两者之间存在约6年的忧韩时差。成本、原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，实际生态差距为4至5年。

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。

高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，单看单元微缩约差2年，差距已缩小至2年左右，多位韩国专家判断，DDR5等通用DRAM市场保持警觉——中国一旦通过扩产拿到通用产品的份额与利润，长期可靠性与客户认证约为3年。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，应先对DDR4、崔正东称，白瑞仁表示，

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，最早也要等到2032年至2034年之后。中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

金容锡提醒，若中国以不计成本的姿态进攻，差距还可能再缩短1年。